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綜合電流注入效率、芯片外部光取出效率、輻射發(fā)光量子效率等，最后大概只有30-40%的輸入電能轉(zhuǎn)化為光能，其余60-70%的能量主要以非輻射復合發(fā)生的點陣振動的形式轉(zhuǎn)化熱能。那么，LED究竟有沒有熱量產(chǎn)生呢?能產(chǎn)生多少熱量呢?LED產(chǎn)生的熱量又究竟有多大?
隨著芯片溫度的升高，就會增強非輻射復合，進一步消弱發(fā)光效率。大量的熱，以至于在使用過程中發(fā)生問題。加上很多初次使用大功率LED的人，對熱問題又不懂如何有效地解決，使得產(chǎn)品可靠性成為主要問題。
LED在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場的驅(qū)動下，克服PN結(jié)的電場，由N區(qū)躍遷到P區(qū)，這些電子與P區(qū)的空穴發(fā)生復合。由于漂移到P區(qū)的自由電子具有高于P區(qū)價電子的能量，復合時電子回到低能量態(tài)，多余的能量以光子的形式放出。發(fā)出光子的波長與能量差Eg相關(guān)?？梢姡l(fā)光區(qū)主要在PN結(jié)附近，發(fā)光是由于電子與空穴復合釋放能量的結(jié)果。一隻半導體二極體，電子在進入半導體區(qū)到離開半導體區(qū)的全部路程中，都會遇到電阻。簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結(jié)構(gòu)簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結(jié)構(gòu)源負極發(fā)出的電子和回到正極的電子數(shù)是相等的。普通的二極體，在發(fā)生電子-空穴對的復合是，由于能級差Eg的因素，釋放的光子光譜不在可見光范圍內(nèi)。
電子在二極體內(nèi)部的路途中，都會因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學的基本定律：
P=I2R=I2(RN++RP)+IVTH
式中：RN是N區(qū)體電阻
VTH是PN結(jié)的開啟電壓
RP是P區(qū)體電阻
消耗的功率產(chǎn)生的熱量為：
Q=Pt
式中：t為二極體通電的時間。
本質(zhì)上，LED依然是一只半導體二極體。因此，LED在正向工作時，它的工作過程符合上面的敘述。它所它所消耗的電功率為：
PLED=ULED×ILED
式中：ULED是LED光源兩端的正向電壓:
ILED是流過LED的電流
這些消耗的電功率轉(zhuǎn)化為熱量放出:
Q=PLED×t
式中：t為通電時間
實際上，電子在P區(qū)與空穴復合時釋放的能量，并不是由外電源直接提供的，而是由于該電子在N區(qū)時，在沒有外電場時，它的能級就比P區(qū)的價電子能級高出Eg。當它到達P區(qū)后，與空穴復合而成為P區(qū)的價電子時，它就會釋放出這麼多的能量。Eg的大小是由材料本身決定的，與外電場無關(guān)。外電源對電子的作用只是推動它做定向移動，并克服PN結(jié)的作用。
LED的產(chǎn)熱量與光效無關(guān)；不存在百分之幾的電功率產(chǎn)生光，其余百分之幾的電功率產(chǎn)生熱的關(guān)系。透過對大功率LED熱的產(chǎn)生、熱阻、結(jié)溫概念的理解和理論公式的推導及熱阻測量，我們可以研究大功率LED的實際封裝設(shè)計、評估和產(chǎn)品應用。需要說明的是熱量管理是在LED產(chǎn)品的發(fā)光效率不高的現(xiàn)階段的關(guān)鍵問題，從根本上提高發(fā)光效率以減少熱能的產(chǎn)生才是釜底抽薪之舉，這需要芯片制造、LED封裝及應用產(chǎn)品開發(fā)各環(huán)節(jié)技術(shù)的進步。
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